AO3409A UMW
Symbol Micros:
TAO3409a UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO3409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 180mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol producenta:
AO3409 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
235 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9070 | 0,5000 | 0,3310 | 0,2760 | 0,2590 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)