AO3413
Symbol Micros:
TAO3413
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AO3413 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
170 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0200 | 0,5550 | 0,3640 | 0,3290 | 0,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO3413A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3413 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Pozycja dostępna na zamówienie