AO3420
Symbol Micros:
TAO3420
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AO3420 RoHS AN..
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9810 | 0,4980 | 0,3010 | 0,2390 | 0,2180 |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AO3420 RoHS AN..
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9810 | 0,4980 | 0,3010 | 0,2390 | 0,2180 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
G2312
Tranzystor MOSFET; SOT-23; N-Channel; NO ESD; 20V; 5A; 1.25W; 0.7; V; 12mΩ; 13mΩ AO3420; DMG3414U
Pozycja dostępna na zamówienie
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
HOTTECH
Symbol producenta:
AO3420 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
300 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 0,8860 | 0,4180 | 0,2330 | 0,1870 | 0,1610 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)