AO4485

Symbol Micros: TAO4485
Obudowa: SOIC08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 15mOhm; 10A; 3,1W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 3,1W
Obudowa: SOIC08
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 3,1W
Obudowa: SOIC08
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD