AOD2N60

Symbol Micros: TAOD2n60
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 56,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOD2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1700 1,7100 1,5600 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOD2N60 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
42500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 56,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD