AOD2N60
Symbol Micros:
TAOD2n60
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 56,8W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOD2N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,4300 | 2,1700 | 1,7100 | 1,5600 | 1,4900 |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOD2N60
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
42500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 56,8W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |