AOD3N60

Symbol Micros: TAOD3n60
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 56,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA Symbol producenta: AOD3N60 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4800 1,5000 1,1500 1,0400 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 56,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD