AOD4130
Symbol Micros:
TAOD4130 c
Obudowa: TO252 (DPACK) t/r
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 34,7W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) t/r |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 34,7W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) t/r |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |