AOD413A

Symbol Micros: TAOD413a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 66mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 66mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOD413A RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
58 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 0,8450 0,6640 0,6150 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 66mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD