AOD417

Symbol Micros: TAOD417

Obudowa: DPAK

Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	55mOhm
Maksymalny prąd drenu:	25A
Maksymalna tracona moc:	50W
Obudowa:	DPAK
Producent:	ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r

Stan magazynowy:

235 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	500+
cena netto (PLN)	2,0400	1,2300	0,9400	0,8460	0,8170

Rezystancja otwartego kanału:	55mOhm
Maksymalny prąd drenu:	25A
Maksymalna tracona moc:	50W
Obudowa:	DPAK
Producent:	ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	1500+
cena netto (PLN)	1,4300	0,9390	0,6750	0,5780	0,5500