AOD4189
Symbol Micros:
TAOD4189
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 33mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 62,5W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOD4189 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
4061 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0800 | 1,2600 | 0,9670 | 0,8720 | 0,8300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 62,5W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AOD4189 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 29mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD4189 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
AOD4189 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2300 | 1,2400 | 0,9750 | 0,9190 | 0,8900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
AOD4189 JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 45mOhm; 22A; 34,7W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: AOD4189 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
AOD4189 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 1,5300 | 1,0100 | 0,7240 | 0,6200 | 0,5900 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)