AOD4N60
Symbol Micros:
TAOD4n60
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOD4N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2300 | 3,9900 | 3,3000 | 2,8900 | 2,7500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |