AOT10B60D
Symbol Micros:
TAOT10b60d
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: | 17,4nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 163W |
Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 40A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,6V |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOT10B60D RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
13 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,7800 | 4,4100 | 3,6500 | 3,2000 | 3,0400 |
Ładunek bramki: | 17,4nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 163W |
Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 40A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,6V |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |
Montaż: | THT |