AOT1N60
Symbol Micros:
TAOT1n60
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 41,7W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOT1N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4300 | 1,4700 | 1,1300 | 1,0200 | 0,9710 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 41,7W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |