AOTF11N70
Symbol Micros:
TAOTF11n70
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 870mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOTF11N70 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,2500 | 4,3800 | 3,7200 | 3,4000 | 3,2900 |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOTF11N70 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,2500 | 4,7700 | 3,9500 | 3,4600 | 3,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 870mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |