AOTF12N60FD

Symbol Micros: TAOTF12n60fd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 650mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF12N60FD RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 4,9200 4,0700 3,5700 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF12N60FD RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
22 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 22+ 88+ 352+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5100 3,8000 3,5100 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
22
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF12N60FD RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 28+ 112+ 448+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5100 3,7400 3,5000 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
28
Rezystancja otwartego kanału: 650mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT