AOTF7N65

Symbol Micros: TAOTF7n65
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,56Ohm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 38,5W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0700 3,8700 3,2000 2,8100 2,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,5400 2,9500 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/50
Rezystancja otwartego kanału: 1,56Ohm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 38,5W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT