AOTF9N90
Symbol Micros:
TAOTF9n90
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOTF9N90 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4400 | 5,1400 | 4,4000 | 3,9500 | 3,7900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |