AOU2N60
Symbol Micros:
TAOU2n60
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 56,8W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOU2N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 80+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1900 | 1,5800 | 1,1400 | 0,9560 | 0,8740 |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOU2N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1900 | 1,5800 | 1,1400 | 0,9390 | 0,8740 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 56,8W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |