AP2306GN-HF-3
Symbol Micros:
TAP2306gn-hf-3
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,38W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Symbol producenta: AP2306GN-HF-3 Pbf N6..
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,6180 | 0,4090 | 0,3410 | 0,3200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,38W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |