AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP2320gn-hf-3
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 250mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 250mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |