AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2324gn-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 39mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2324GN-HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5200 0,8380 0,6590 0,6100 0,5850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 39mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD