AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2N7002k-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 450mA
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2N7002K-HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7700 0,3660 0,2060 0,1560 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 450mA
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD