AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4501gm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP4501GM RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8840 0,7980 0,7590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD