AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4503bgm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,2A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP4503BGM RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1200 0,8020 0,7010 0,6570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,2A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD