AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4503gm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,9A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP4503GM RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,9A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD