AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP4800dgm
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |