AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP6679gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 75A; 89W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 89W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP6679GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6300 2,2800 1,8900 1,6900 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 89W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD