AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP85T03gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 107W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP85T03GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
72 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7300 1,4400 1,2800 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 107W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD