AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9435gk
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 6A; 2,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 2,7W
Obudowa: SOT223
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9435GK RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6900 1,6900 1,4000 1,2500 1,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 2,7W
Obudowa: SOT223
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD