AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9474gm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO-8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12,8A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SO-8
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9474GM-HF RoHS Obudowa dokładna: SO-8 karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4600 1,1200 1,0100 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 13mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12,8A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SO-8
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD