AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP9563gj
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 26A |
| Maksymalna tracona moc: | 39W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 26A |
| Maksymalna tracona moc: | 39W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |