AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9962gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9962GH-HF-3TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 27,8W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9962GH RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4600 1,9300 1,7600 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 27,8W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD