AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9977gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 21W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9977GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
240 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0200 1,2100 0,9270 0,8350 0,8060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 21W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD