AUIRF1010EZS International Rectifier
Symbol Micros:
TAUIRF1010ezs
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 84A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF1010EZSTRL;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 84A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: AUIRF1010EZS RoHS
Obudowa dokładna: D2PAK
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4600 | 6,8900 | 5,9800 | 5,5400 | 5,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 84A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |