AUIRF7416QTR International Rectifier

Symbol Micros: TAUIRF7416q
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC08
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOIC08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: AUIRF7416QTR RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,4800 4,5300 3,7300 3,4700 3,4100
Sposób pakowania:
150
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOIC08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD