BC327-40

Symbol Micros: TBC32740
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 630; 625mW; 45V; 800mA; 260MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC32740TA; BC32740BU; BC327-40-BULK; BC327-40-AP; BC327-40ZL1G; BC327-40-GURT; BC327.40;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 260MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BC327-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
4250 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,3380 0,1340 0,0789 0,0581 0,0520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/10000
Producent: CDIL Symbol producenta: BC327.40 Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0911
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC32740BU Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
11000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1811
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC32740BU Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1848
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 260MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP