BC517 LGE

Symbol Micros: TBC517 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92bul
Tranzystor NPN; 30000; 625mW; 30V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBC517-BK; BC517-CDI; BC517-BK;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30000
Producent: LGE
Obudowa: TO92bul
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: LGE Symbol producenta: BC517 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7590 0,3040 0,1770 0,1470 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: CDIL Symbol producenta: BC517-BK Obudowa dokładna: TO92bul  
Magazyn zewnętrzny:
15400 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1781
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-02-15
Ilość szt.: 1000
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30000
Producent: LGE
Obudowa: TO92bul
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN