BC517 LGE
Symbol Micros:
TBC517 c
Obudowa: TO92bul
Tranzystor NPN; 30000; 625mW; 30V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBC517-BK; BC517-CDI; BC517-BK;
Parametry
Moc strat: | 625mW |
Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30000 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | TO92bul |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC517 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,7590 | 0,3040 | 0,1770 | 0,1470 | 0,1380 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: BC517-BK
Obudowa dokładna: TO92bul
Magazyn zewnętrzny:
15400 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1781 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-02-15
Ilość szt.: 1000
Moc strat: | 625mW |
Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30000 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | TO92bul |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |