BC546B TO92(bulk)
Symbol Micros:
TBC546b
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 450; 625mW; 65V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-LGE; BC182; BC546BTA; BC546BBK; BC546B A1; BC546B B1; BC546B; BC546BTF; BC546B-AP; BC546B-BULK; BC546B-GURT;
Parametry
Moc strat: | 625mW |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC546B RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3900 | 0,1550 | 0,0910 | 0,0670 | 0,0600 |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC546B RoHS
Obudowa dokładna: TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3900 | 0,1550 | 0,0910 | 0,0670 | 0,0600 |
Producent: YFW
Symbol producenta: BC546B RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
723 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3900 | 0,1550 | 0,0910 | 0,0670 | 0,0600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC546BTA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1469 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC546BTA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1482 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC546BBK
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0608 |
Moc strat: | 625mW |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |