BC550B

Symbol Micros: TBC550b c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; Bipolarny; 800; 45V; 6V; 150MHz; 100mA; 625mW; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BC550B RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
1200 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1540 0,0902 0,0663 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta