BC558B

Symbol Micros: TBC558b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 460; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC558BTA; BC558B-CDI;
Parametry
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 460
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: LGE Symbol producenta: BC558B RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
631 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,3920 0,1550 0,0910 0,0668 0,0603
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/6000
Producent: LGE Symbol producenta: BC558B RoHS Obudowa dokładna: TO92 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,3920 0,1550 0,0910 0,0668 0,0603
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/4000
Moc strat: 625mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 460
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta