BC639-16
Symbol Micros:
TBC63916
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA;
Parametry
| Moc strat: | 625mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC639-16 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5990 | 0,2290 | 0,1290 | 0,1070 | 0,0999 |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC639-16 RoHS
Obudowa dokładna: TO92amm
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7700 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5990 | 0,2290 | 0,1290 | 0,1070 | 0,0999 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC63916-D27Z
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4176 |
| Moc strat: | 625mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |