BC640

Symbol Micros: TBC640
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI;
Parametry
Moc strat: 830mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: MIC Symbol producenta: BC640 RoHS Obudowa dokładna: TO92  
Stan magazynowy:
3700 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8910 0,3850 0,2390 0,2040 0,1980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol producenta: BC640 RoHS Obudowa dokładna: TO92  
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8910 0,3850 0,2390 0,2040 0,1980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC640TA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
6591 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4262
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC640TA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Fairchild Symbol producenta: BC640TA Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4223
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 830mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP