BC807-16LT1G

Symbol Micros: TBC80716 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-16LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2860 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5310 0,2440 0,1330 0,0991 0,0885
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP