BC807-16LT1G
Symbol Micros:
TBC80716 ONS
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC807-16LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2860 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5310 | 0,2440 | 0,1330 | 0,0991 | 0,0885 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC807-16LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0885 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC807-16LT3G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
850000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0885 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC807-16LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0885 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |