BC807-40LT1G ONS

Symbol Micros: TBC80740 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40LT3G;
Parametry
Moc strat: 225mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-40LT3G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
64000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0525
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC807-40LT3G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1800000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0548
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 225mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP