BC807UE

Symbol Micros: TBC807UE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC74-6
Tranzystor PNP; 400; 330mW; 45V; 500mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807UE6327; BC807UE6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SC74-6
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC807UE6327 RoHS Obudowa dokładna: SC74-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
cena netto (PLN) 3,7500 2,7800 2,0500 1,7700 1,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
70
Producent: Infineon Symbol producenta: BC807UE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SC74-6  
Magazyn zewnetrzny:
1131000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SC74-6
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP