BC817-16LT1G
Symbol Micros:
TBC81716 ON
Obudowa: SOT23-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC817-16LT3G; BC817-16LT1G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 180 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC817-16LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
224 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4570 | 0,2090 | 0,1140 | 0,0853 | 0,0761 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC817-16LT3G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
| ilość szt. | 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0761 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC817-16LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0761 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 180 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |