BC817-25 GALAXY

Symbol Micros: TBC81725 GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: GALAXY Symbol producenta: BC817-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN