BC817-25LT1G ONS
Symbol Micros:
TBC81725 ONS
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25LT3G;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC817-25LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 9000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4340 | 0,1730 | 0,0870 | 0,0695 | 0,0668 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC817-25LT3G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0668 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC817-25LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0668 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |