BC817-25W,115
Symbol Micros:
TBC81725 w
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25W RF; BC817-25W,115; BC817-25W-7; BC817-25W.115; BC817-25W.215; BC817-25W,135;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC817-25W,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2400 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4670 | 0,2140 | 0,1170 | 0,0873 | 0,0779 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC817-25W,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
78000 szt.
ilość szt. | 60000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0779 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC817-25W,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0779 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC817-25W,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
63000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0779 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |