BC846BDW1T1G
Symbol Micros:
TBC846bdw
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN; 450; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BDW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
1860000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0702 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BDW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
1116000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0709 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BC846BDW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
249000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0721 |
| Moc strat: | 380mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |